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氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,属于第三代半导体。与前两半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,满足现代电子技术对半导体材料提出的高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
氮化镓如今被定位成涵盖了从无线基站到射频能量等商业射频领域的主流应用,它从一项高深的技术发展为市场的中流砥柱,这一发展历程融合了多种因素,是其一致发挥作用的结果。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消,最近,其凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出,成为大多数射频应用中可替代砷化镓和LDMOS的最具成本竞争优势的材料。中国GaN功率半导体市场较小,但增长迅速。2015年中国GaN功率半导体市场规模0.11亿元,2021年市场规模达到1.88亿元。
GaN材料禁带宽度大、热导率高、临界击穿电场高、饱和电子迁移速率高,在应用上可以做到高击穿电压、耐高温、低导通损耗、高输出功率以及低成本,在电力电子、微波通信、光伏逆变、照明等应用领域具有另外2代材料无法比拟的优势,具有重大的战略意义,相信在不久的将来GaN作为第3代半导体材料中优秀代表会得到更广泛的应用。
产业研究院发布的《2024-2029年中国氮化镓(GaN)产业投资规划及前景预测报告》共九章。首先介绍了氮化镓的概念、特性、制备方法等,接着分析了半导体材料和氮化镓产业的整体发展状况。然后报告从企业竞争、市场主要类型、应用领域、国内外企业等方面对氮化镓行业进行了系统解析,最后报告对氮化镓产业的投资潜力及发展前景进行了科学的预测。
本研究报告数据主要来自于国家统计局、国家海关总署、商务部、财政部、工信部、产业研究院、产业研究院市场调查中心以及国内外重点刊物等渠道,数据权威、详实、丰富,同时通过专业的分析预测模型,对行业核心发展指标进行科学地预测。您或贵单位若想对氮化镓产业有个系统深入的了解、或者想投资该行业,本报告将是您不可或缺的重要参考工具。
图表:GaN材料体系(GaN、InGaN和AlGaN)将半导体激光器波长扩展到可见光和紫外波段
图表:具有Pd/Pt/Au的传统GaN基激光器结构示意图或具有ITO限制层的GaN基激光器结构示意图
图表:(a)由于外延结构各层生长条件差异大导致蓝光激光器结构中出现暗斑缺陷;(b)优化生长条件消除暗斑缺陷的激光器外延片
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2024-May-12
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